这个IGBT怎么使用？每个端子分别接什么？

1. 这个IGBT怎么使用？每个端子分别接什么？

看你电路采用什么方式 是半桥呢 全桥 还是三相桥结构  
6 7两脚接驱动电路
4 5两脚接驱动电路 
其他的根据电路情况连接，看一些产品原理图就明白了

2. 电焊机的IGBT用万用表测量1脚和3脚在板子上有很小的阻值还伴有蜂鸣声是是不是？

蜂鸣响说明阻值很小，但是因为是在板上测的，并不能判断是管子挂了，也可能是并联的其他元件如二极管击穿导致的，可以用烙铁配合取锡器给引脚脱焊后再测量好坏。

3. 我是卖IGBT的，刚接触，所以想了解一下IGBT除了用在电磁炉上以外，主要还用在什么产品上？

电磁炉屡烧功率管是什么原因？　　电磁烧igbt原因很多,这里建议修理电磁炉最好可以有台示波器.这样可以方面准确判断故障.这里提供电磁炉爆igbt几大隐患问题.一;同步电路异常(在线圈盘两端的有3~5个的300k~680k/2瓦的电阻,接到339的其中的一组的比较器)两端的电压相差应在0.2v之内.待机时电压在3v~5v左右,工作时在1.7v左右.二;激励电路的脉宽过宽,尖峰,杂波等(脉宽过宽用示波器,在放上锅时,移走锅时示波器波形瞬间的波形变化不能超过0.2mv(示波器上两格)三;散热不良四;电路板自身设计存在问题(主要问题:地线不合理,线圈盘电感与电容匹配不良)此类很难解决五;使用早期仙童fga25n120,fga15n120系列的igbt(igbt的后缀编号an和and)电磁炉,特别用此igbt用大功率的电磁炉上,电路设计稍微匹配不良,就很容易引起igbt过热而烧毁.答案补充一般电容坏的比较多,特别是整流滤波电容"5UF/275V~X2(400VDC)",逆程,谐振电容1200V0.3UF,两者都会威胁功率开关管，好一点的炉对前者会有保护功能，对后者，一般都会烧功率开关，所以碰到烧管的炉，一定先检查该电容有无开路，因为该两个电容经常工作在高温环境里，容易容量变小或开路,漏电。

4. 在IGBT电焊机中，为什么再输入会有一个整流模块，那家伙放那是起什么作用的。

使用IGBT的焊机是逆变焊机，所谓逆变，就是把直流变成交流。而我们的电网是交流电。所以要先把电网的电变成直流。那个整流桥就是这个作用。变压的过程就是调节IGBT的占空比，你没见到IGBT输出后还有一个高频变压器吗？IGBT和这个高变起的调压作用。

5. 电焊机风扇接法

焊机有三个端子，中间端子标记为0，两侧分别标记为380和220。当焊机需要接380V电源时，只需将配电箱的两相线分别接在焊机的0、380端子上即可。
还有四个接线柱，中间两个标志是0，两边两个标志分别是380和220，两个在一组。焊机接380V电源时，从配电箱中抽出两相线，一条接380，一条接0。
从电焊机380V绕组中抽头引出220V接风扇，即电压为220V。常用电源为：逆变式弧焊电源，又称弧焊逆变器，是一种新型的焊接电源。
这种电源一般是将三相工频（50Hz）交流网路电压，先经输入整流器整流和滤波，变成直流，再通过大功率开关电子元件（晶闸管SCR、晶体管GTR、场效应管MOSFET或IGBT）的交替开关作用，逆变成几kHz~几十kHz的中频交流电压。

扩展资料：
在电焊机的工作电压的调节，除了一次的220/380V电压变换，二次线圈也有抽头变换电压，同时还有用铁芯来调节的，可调铁芯电焊机一般是一个大功率的变压器，系利用电感的原理做成的，电感量在接通和断开时会产生巨大的电压变化，利用正负两极在瞬间短路时产生的高压电弧来熔化电焊条上的焊料.来达到使它们结合的目的。在焊条和工件之间施加电压，通过划檫或接触引燃电弧，用电弧的能量熔化焊条和加热母材。

参考资料来源：百度百科-电焊机

6. 直流电焊机好还是交流电焊机好

直流电焊机与交流电焊机相对比，还是直流电焊机好 。理由是：
1、直流焊机的焊接范围广，焊接质量好。直流电焊机可以使用碱性焊条也可以使用酸性焊条进行焊接。而交流焊机不能用于碱性焊条的焊接。较重要的焊件（如锅炉、压力容器和合金结构钢等）一般选用直流焊机和碱性焊条焊接，碱性焊条的焊缝具有良好的抗裂性和力学性能。而交流焊机主要焊接低碳钢和强度较低的低合金结构钢的焊接，一般用焊接酸性焊条（常见422）焊接，酸性焊条能交直流两用，焊接工艺性能较好，但焊缝的力学性能，特别是冲击韧度较差。
2、一些焊接性能差的特殊材料一般只能用直流焊机和碱性焊条焊接，而交流焊机达不到焊接的工艺要求。如高强度材料、高碳材料等。
3、三相直流电焊机对电源的影响小，而大功率的交流电焊机由于最多只能用到两相电，容易造成三相用电不平衡，造成电源电压波动。而大功率的直流电焊机都用三相整流就没有这个问题。

7. IGBT模块是不是用二极管档测的不准啊?

MOS场效应管 

即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。 



以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。 



国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。 

MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。下面介绍检测方法。 

1．准备工作 

测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。 

2．判定电极 

将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。 

3．检查放大能力（跨导） 

将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。 

目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。 


VMOS场效应管 

VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 



众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。 



国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。表1列出六种VMOS管的主要参数。其中，IRFPC50的外型如图3所示。 

下面介绍检测VMOS管的方法。 

1．判定栅极G 

将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。 

2．判定源极S、漏极D 

由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。 

3．测量漏-源通态电阻RDS（on） 

将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。 

由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。 

4．检查跨导 

将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。 

注意事项： 

（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。 

（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。 

（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。 

（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。 

（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W 
场效应晶体管 

场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 

场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 

按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见附图1。 



MOS场效应晶体管使用注意事项。 

MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则： 

1. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装 

2.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。 

3. 焊接用的电烙铁必须良好接地。 

4. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。 

5. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。 

6.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。 

7. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。 

场效应管的测试。 

下面以常用的3DJ型N沟道结型场效应管为例解释其测试方法： 

3DJ型结型场效应管可看作一只NPN型的晶体三极管，栅极G对应基极b，漏极D对应集电极c，源极S对应发射极e。所以只要像测量晶体三极管那样测PN结的正、反向电阻既可。把万用表拨在R*100挡用黑表笔接场效应管其中一个电极，红表笔分别接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是场效应管的栅极。红表笔接的就是漏极或源极。对结型场效应管而言，漏极和源极可以互换。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。 

目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如图2所示。 



场效应晶体管的好坏的判断。 

先用MF10型万用表R*100KΩ挡（内置有15V电池），把负表笔（黑）接栅极（G），正表笔（红）接源极（S）。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再该用万用表R*1Ω挡，将负表笔接漏极（D），正表笔接源极（S），万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。

8. IGBT测试工装，其中一项是设计通用的IGBT模块夹具，既能将模块固定，又能将模块上的电气端子连接 有没办法

电气端子用压接的方式是不可行的，这个我做过试验了，会接触不良打火哈哈^_^